»姓名： 郝兰众

»系属：  材料物理

»学位：博士

»职称：教授

»专业： 材料物理

»导师类别：博导/硕导

»电子邮箱：haolanzhong@upc.edu.cn

»联系电话：15269263562

»通讯地址：山东省青岛市黄岛区kaiyun体育登录网页入口（华东）kaiyun体育登录网页入口

»概况

 ◎研究方向

面向人工智能、智慧海洋与油气田等战略新兴领域，致力于智能感知材料、器件和技术研究，研究方向包括：

1. 纳米材料的可控生长；

2.电子/光电子/能源电子集成化；

3.可穿戴气敏材料与器件。

 ◎教育经历

2008.09-2012.12，电子科技大学，材料物理与化学，博士

2002.09-2005.04，电子科技大学，材料物理与化学，硕士

1998.09-2002.07，山东师范大学，物理学，学士

 ◎工作经历

2019.12至今， kaiyun体育登录网页入口（华东）kaiyun体育登录网页入口，教授

2015.11-2016.11，美国加州大学伯克利分校，访问学者

2012.12-2019.12，kaiyun体育登录网页入口（华东）理学院，副教授

2008.01-2012.12，kaiyun体育登录网页入口（华东）理学院，讲师

2005.04-2007.12，kaiyun体育登录网页入口（华东）物理科学与技术学院，助教

 ◎学术兼职

山东省科协科普专家、教育部学位中心评审专家、自然基金委通讯评审专家，Materials Horizon、ACS Applied Materials and Interface等二十余个国际知名杂志评审人。

 ◎主讲课程

本科生《材料结构表征及应用》、《纳米材料与技术概论》、《材料综合实验》研究生《薄膜技术与材料》

 ◎指导研究生及博士后

累计指导博/硕士生15人。

 ◎承担项目

1、国家自然科学基金项目3项

(1)大面积柔性SnSe/Si异质薄膜的取向生长与高效光电探测性能研究，项目编号51972341；

(2)二硫化钼-硅异质结材料的制备、微结构与氢气敏感性能研，项目编号51502348；

(3)LiNbO3/ZnO异质结的制备及电学性能，项目编号51102284；

2、山东省自然科学基金4项

(1)大面积柔性WS₂/Si异质薄膜制备与高灵敏H₂响应性能研究，项目编号ZRZR201910220375；

(2)Pd掺杂对MoS₂/Si异质薄膜光电性能调控机理研究，项目编号ZR2016AM15；

(3)LiNbO₃/GaN异质结的制备及电学性能，项目编号ZR2010Q017；

(4)LaCaMnO3/BaTiO3异质薄膜铁磁极化调制研究，项目编号ZR2006Q05。

3、自主创新基金4项

(1)MoS₂/Si异质薄膜的界面修饰机制和光伏性能研究，项目编号18CX02038A；

(2)kaiyun体育登录网页入口（华东）拔尖人才资助计划；

(3)MoS₂/Si异质薄膜的取向生长、掺杂效应及光伏性能研究，项目编号14CX05038A；

(4)LiNbO₃/AlGaN场效应晶体管器件的研制，项目编号11CX05013。

 ◎获奖情况

获山东省高校优秀科研成果奖三等奖2次（2020，2006）。

 ◎荣誉称号

2015.01，kaiyun体育登录网页入口（华东）拔尖人才

 ◎著作

郝兰众、韩治德、胡松青.材料物理实验，青岛，kaiyun体育登录网页入口出版社，2018.

 ◎论文

（1）Y.M. Liu, Y.J. Liu, Y. Wu, S. Zhao, F. Guo, S. Li, W. Yu, G. Liu, J. Hao, Z. Wang, K. Yan, L. Hao*. Si/SnSe-Nanorod Heterojunction with Ultrafast Infrared Detection Enabled by Manipulating Photo-Induced Thermoelectric Behavior [J]. ACS Applied Materials and Interfaces, 2022, 14: 24557-24564.

（2）Y. Wu, Y. Liu, Y.M. Liu, S. Zhao, F. Guo, S. Li, W. Yu, G. Liu, J. Hao and L. Hao*. High-Performance Stretchable Photodetectors Based on Epitaxial CdTe Ultrathin Films [J]. Journal of Materials Chemistry C, 2022, 10: 11187.

（3）H.Liu, Y.Liu, S.Dong, H.Xu, Y.Wu, L.Hao,* B.Cao,M.Li,Z.Wang,Z.Han, K.Yan. Photothermoelectric SnTe Photodetector with Broad Spectral Response and High On-Off Ratio [J]. ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, 12: 49830-49839.

（4）H. Xu, L. Hao*, H. Liu, S. Dong, Y. Wu, Y. Liu, B. Cao, Z. Wang, C. Ling, S. Li, Z. Xu, Q. Xue, K. Yan. Flexible SnSe Photodetectors with Ultrabroad Spectral Response up to 10.6 µm Enabled by Photobolometric Effect [J]. ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, 12: 35250-35258.

（5）L. Hao, Y. Du, Z. Wang, Y. Wu, H. Xu, S. Dong, H. Liu, Y. Liu, Q. Xue, Z. Han, K. Yan, M. Dong*. Wafer-size growth of 2D layered SnSe films for UV-Visible-NIR photodetector arrays with high responsitivity [J]. Nanoscale, 2020, 12: 7358-7365.

（6）L. Hao, Z. Wang*, H. Xu, K. Yan, S. Dong, H. Liu, Y. Du, Y. Wu, Y. Liu, M. Dong. 2D SnSe/Si heterojunction for self-driven broadband photodetectors [J]. 2D Materials, 2019, 6: 034004.

（7）L. Hao,* H. Xu, S. Dong, Y. Du, L. Luo, C. Zhang, H. Liu, Y. Wu, Y. Liu. SnSe/ SiO2/Si heterostructures for ultrahigh-sensitivity, ultrafast and broadband optical position sensitive detectors [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(1): 55-58.

（8）L. Hao,* H. Liu, H. Xu, S. Dong, Y. Du, Y. Wu, H. Zeng, J. Zhu, Y. Liu. Flexible Pd-WS2/Si heterojunction sensors for highly sensitive detection of hydrogen at room temperature [J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2019, 283: 740-748.

（9）Y. Liu, L. Hao,* W. Gao, Z. Wu, Y. Lin, G. Li, W. Guo, L. Yu, H. Zeng, J. Zhu, W. Zhang. Hydrogen gas sensing properties of MoS2/Si heterojunction [J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2015, 211(1): 537-543.

（10）L. Hao,* W. Gao, Y. Liu, Z. Han, Q. Xue, W. Guo, J. Zhu, Y. Li. High-performance n-MoS2/i-SiO2/p-Si heterojunction solar cells [J]. Nanoscale, 2015, 7(18): 8304-8308.

 ◎专利

（1）刘云杰，郝兰众，韩治德，薛庆忠.一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及制备方法，2018.11.20，中国，ZL201610902726.3.

（2）郝兰众，高伟，刘云杰，韩治德，薛庆忠.一种MoS2/Sip-n结太阳能电池器件及其制备方法，2017.06.06，中国，ZL201410699047.1.

（3）郝兰众，高伟，刘云杰，韩治德，薛庆忠.Pd/MoS2/SiO2/Si/SiO2/In多结红外光探测器件及其制备方法，2017.03.08，中国，ZL201510386608.7.

（4）郝兰众，刘云杰，韩治德，薛庆忠.一种具有ITO/Pd双层结构复合电极的MoS2/Si异质结光伏器件及其制备方法，2017.12.15，中国，ZL201610902913.1.

（5）郝兰众，刘云杰，高伟，韩治德，薛庆忠.一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法，2016.09.14，中国，ZL201510034090.0.

（6）郝兰众，刘云杰，高伟，韩治德，薛庆忠.一种Pd-MoS2异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法，2016.09.26，中国，ZL201510558994.3.

（7）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法，2015.07.01，中国，ZL201210327192.8.

（8）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法，2016.01.20，中国，ZL201210327259.8.

（9）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，2013.04.03，中国，201110251405.9.